6月2日，韩国新签了一个氮化镓项目，总投资额接近11亿元人民币。

据韩国媒体报道，韩国釜山市与韩国BTOZ公司、日本Oxide签署了三方投资谅解备忘录，决定在釜山投资2000亿韩元（约10.88亿元人民币）建设GaN单晶材料生产车间。

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据悉，BTOZ将于2025 年在韩国机张郡长安邑，建设一个15000 平方米的氮化镓单晶材料工厂，而OXIDE通过对BTOZ工厂的技术支持，帮助后者量产氮化镓功率半导体。

BTOZ 成立于 2009 年 12 月，拥有多项与传感器有关的专利，特别是在X射线成像领域，并与国家研究机构和大学合作，积极开展氮化镓功率半导体领域的研究和开发，2022年销售额为 544 亿韩元（约3亿人民币），拥有 172 名员工。

在氮化镓方面，BTOZ 的定位是一家集外延和功率器件设计一体的厂商，主要开发垂直氮化镓功率器件，根据这次合作，其氮化镓单晶衬底技术将来源于OXIDE，并与其他厂商和机构合作，计划在韩国形成氮化镓单晶功率器件的垂直产业链模式。

●氮化镓单晶技术

2021年6月，Oxide宣布开始提供其氮化镓单晶样品。

OXIDE的产品是基于ScAlMgO4单晶衬底（简称SAM），SAM是一种适用于生长GaN薄膜单晶的新材料，与蓝宝石相比，与在蓝宝石上外延生长的GaN相比，SAM基GaN具有更高的良率，更少的晶格缺陷，具有更高的薄膜完整性。

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●垂直器件技术

而BTOZ 的氮化镓器件技术来源于韩国电子通信研究院（ETRI）。

ETRI曾于2020年10月宣布，他们在韩国首次开发出采用氮化镓单晶衬底的800V垂直功率器件。

而他们这次开发的技术转让给BTOZ 公司，未来有望以多种方式用于提高电动汽车、太阳能逆变器和输配电网的电能转换效率。

●氮化镓制造基地

2021年6月，釜山市机张郡和BTOZ签署了一项投资协议，原本为了建设从氮化镓晶圆到功率器件的批量生产工厂。

根据当时的协议，BTOZ将租赁2500坪土地，投资总额为334亿韩元（1.8亿元人民币），雇用约60人。

根据该公司官网信息，BTOZ在从晶圆到器件的所有领域都有设计和生产技术。氮化镓衬底方面，主要使用HVPE设备大规模生产4英寸的GaN晶圆，还提供硅基氮化镓外延服务，并能够制造1.5KV级的GaN-on-GaN PIN器件。

●氮化镓器件制造基地

不过似乎，该公司的氮化镓器件制造将交给第三方。

2021年11月，BTOZ曾与WAVICE宣布达成合作，共同开发与氮化镓半导体有关的技术并将其商业化。

据介绍，韩国一直都在进行氮化镓半导体器件的技术开发和商业化，主要厂商就是WAVICE，韩国的氮化镓外延片完全依赖海外进口。

而BTOZ通过与ETRI的长期技术合作，已经开发出适用于射频器件和功率半导体的氮化镓外延材料，为此，BTOZ与WAVICE的协议签订的目就是为了在韩国形成一个从氮化镓外延材料到器件的完整价值链。

据报道，WAVICE 已经在釜山机张郡获得了4500平方米的土地，目前正在规划和设计一条氮化镓器件生产线，目标是在2023年完成该设施的建设。

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